Memoria PCRAM, PCM, PRAM

Concepito come sostituto naturale delle tecnologie esistenti di memoria La tecnologia non volatile utilizzata dagli attuali dispositivi mobili, queste memorie si basano sulla tecnologia del cristallo anziché del silicio.

Questione di acronimi

La memoria a cambiamento di fase, nota con il suo acronimo inglese PCRAM o PRAM (Phase-Change Random Access Memory) o, anche, molto comunemente per PCM (Phase Change Memory), risponde anche ad altri nomi: OUM (Ovonic Unified Memory), CRAM o C-RAM (RAM calciogena).

È una memoria basata sui cristalli calcogenici, che sono quelli che cambiano forma quando viene applicato loro il calore. Quando la forma cambia, cambia anche il resistenza che questi stessi cristalli presentano, potendo poi determinare, in base a tale resistenza, stati corrispondenti a zero e uno, quali sono quelli utilizzati dal logica binario che consente ai dispositivi elettronici di funzionare.

Nello stato amorfo la resistenza è maggiore e rappresenta lo stato zero, mentre nello stato cristallino la resistenza è minore e rappresenta lo stato binario.

Questo cambio di stato viene effettuato con maggiore velocità rispetto ai dispositivi basati sulla tecnologia al silicio, soprattutto quando si parla di scrivere, un'operazione solitamente più lenta del than lettura, che è anche più veloce delle memorie a base di silicio.

Questa tecnologia è simile a quella che troviamo sui CD e DVD, e sebbene in questi casi il materiale di base utilizzato sia lo stesso, ciò che viene manipolato nel caso di questi dischi sono le proprietà ottiche e non la resistenza elettrica.

Un'altra qualità che queste memorie presentano è che la loro vita operativa è più lunga di quella delle tradizionali memorie al silicio.

Speranze per il futuro

Attualmente, le prestazioni offerte dai dispositivi di Conservazione basata su memoria PRAM è paragonabile e persino inferiore a quelle di altre tecnologie come flash, ma il Il limite superiore a cui possono essere calcolati è molto più alto, ed è una tecnologia che è attualmente in fase di sviluppo iniziando a strumento.

Inoltre, sappiamo tutti come l'industria tecnologica ama spremere le tecnologie esistenti prima avventurarsi per lanciarne di nuovi sul mercato, in modo che per la divulgazione della CRAM abbia ancora tempo metereologico.

I dispositivi con memorie di tipo OUM saranno molto veloci soprattutto nelle operazioni di scrittura, quindi l'immediato futuro di Questo tipo di soluzione è previsto nel campo dei sistemi ad alte prestazioni, come server, giochi e dispositivi mobili di fascia alta. alto.

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